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 Investigation of Si incorporation in (010) β-Ga2O3 films grown by plasma-assisted MBE using diluted disilane as Si source and suboxide Ga2O precursor 以稀二硅烷为硅源、低氧化Ga2O前驱体等离子体辅助MBE生长（010）β-Ga2O3薄膜中Si掺入的研究
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Zhuoqun Wen; Xin Zhai; Cindy Lee; Stefan Kosanovic; Yunjo Kim; et al 出版日期：2024-03-18 |
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