N-polar GaN/AlGaN/AlN high electron mobility transistors on single-crystal bulk AlN substrates

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标题	N-polar GaN/AlGaN/AlN high electron mobility transistors on single-crystal bulk AlN substrates 单晶体AlN衬底上的N极性GaN/AlGaN/AlN高电子迁移率晶体管相关领域材料科学光电子学晶体管跨导宽禁带半导体极地的电子迁移率单晶高电子迁移率晶体管结晶学电气工程化学天文物理工程类电压
网址	https://doi.org/10.1063/5.0138939
DOI	10.1063/5.0138939 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Eungkyun Kim; Zexuan Zhang; Jimy Encomendero; Jashan Singhal; Kazuki Nomoto; et al 出版日期：2023-02-27
求助人	Fu 在 2024-05-26 10:42:37 发布自浙江，悬赏 10 积分
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