Capacitive and RRAM Forming-Free Memory Behavior of Electron-Beam Deposited Ta2O5 Thin Film for Nonvolatile Memory Application

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标题	Capacitive and RRAM Forming-Free Memory Behavior of Electron-Beam Deposited Ta2O5 Thin Film for Nonvolatile Memory Application 用于非易失性存储器的电子束沉积Ta2O5薄膜的电容和无RRAM形成存储行为相关领域电阻随机存取存储器材料科学非易失性存储器光电子学五氧化二钽薄膜电容电压电阻式触摸屏电气工程分析化学（期刊）纳米技术电极化学物理化学工程类色谱法
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00452
DOI	10.1021/acsaelm.3c00452 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Elangbam Rameshwar Singh; Mir Waqas Alam; Naorem Khelchand Singh 出版日期：2023-06-14
求助人	哈哈哈哈hug 在 2024-08-13 15:10:13 发布自福建，悬赏 10 积分
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