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 In Situ Control of Oxygen Vacancies in TaOx Thin Films via Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for Resistive Switching Memory Applications 通过等离子体增强原子层沉积原位控制TaOx薄膜中的氧空位，用于阻变存储器应用
相关领域
材料科学
原子层沉积
X射线光电子能谱
氢
分析化学（期刊）
氧气
化学计量学
电阻随机存取存储器
薄膜
纳米技术
化学工程
电极
化学
物理化学
有机化学
工程类
色谱法
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Konstantin Egorov; Dmitry S. Kuzmichev; P. S. Chizhov; Yu. Yu. Lebedinskiǐ; Cheol Seong Hwang; et al 出版日期：2017-04-06 |
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