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  Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes 用于长波长发光二极管的石墨烯/SiC衬底上应变弛豫GaN薄膜的外延生长演示
相关领域
材料科学
石墨烯
光电子学
外延
化学气相沉积
成核
悬空债券
发光二极管
铟
纳米技术
硅
化学
有机化学
图层（电子）
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期刊：Light Science & Applications 作者：Ye Yu; Tao Wang; Xiufang Chen; Lidong Zhang; Yang Wang; et al 出版日期：2021-06-03 |
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