O2 and Ar plasma processing over SiO2/Si stack: Effects of processing gas on interface defect generation and recovery

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标题	O2 and Ar plasma processing over SiO2/Si stack: Effects of processing gas on interface defect generation and recovery SiO2/Si堆上O2和Ar等离子体处理：处理气体对界面缺陷产生和恢复的影响相关领域堆栈（抽象数据类型）等离子体处理等离子体材料科学接口（物质）等离子体化学材料加工氩原子物理学计算机科学工艺工程核物理学物理操作系统工程类复合材料毛细管数毛细管作用
网址	https://doi.org/10.1063/5.0184779
DOI	10.1063/5.0184779 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Shota Nunomura; Takayoshi Tsutsumi; Isao Sakata; Masaru Hori 出版日期：2024-02-02
求助人	skyfall 在 2024-03-01 12:24:03 发布自江苏，悬赏 30 积分
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