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Barrier heights of real Schottky contacts explained by metal-induced gap states and lateral inhomogeneities
用金属诱导间隙态和横向不均匀性解释的真实肖特基接触的势垒高度
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期刊:Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena 作者:Winfried Mönch 出版日期:1999-07-01 |
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