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 Scalable Bilayer MoS2‐Based Vertically Inverted p–i–n Light‐Emitting Diodes 可扩展双层MoS2基垂直反转P-I-N发光二极管
相关领域
材料科学
双层
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期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Healin Im; Jungho Kim; Jiwan Kim; Sunkook Kim 出版日期：2023-10-30 |
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