标题 |
Anti-Site Defect-Induced High Thermoelectric Efficiency in Yb-Doped P-Type Bi0.5sb1.5te3 Thin Films
掺Yb p型Bi0.5Sb 1.5 Te3薄膜中反位缺陷诱导的高热电效率
相关领域
热电效应
兴奋剂
材料科学
薄膜
热电材料
光电子学
纳米技术
物理
热力学
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期刊: 作者:Varun T S; RASMI T; Anoop A V; D Alagarasan; Malini K A; et al 出版日期:2023-11-17 |
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