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 E-mode AlGaN/GaN HEMTs using p-NiO gates 采用p-NiO门的E型AlGaN/GaN HEMTs
相关领域
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材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
阈值电压
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钝化
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制作
肖特基二极管
异质结
晶体管
肖特基势垒
电压
电气工程
纳米技术
图层（电子）
化学
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医学
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二极管
工程类
催化作用
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期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Chao-Ching Chiang; Hsiao-Hsuan Wan; Jian-Sian Li; F. Ren; Timothy Jinsoo Yoo; et al 出版日期：2023-11-08 |
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