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Tailoring the Switching Dynamics in Yttrium Oxide‐Based RRAM Devices by Oxygen Engineering: From Digital to Multi‐Level Quantization toward Analog Switching
通过氧工程定制氧化钇基RRAM器件的开关动力学:从数字到多级量化再到模拟开关
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Stefan Petzold; Eszter Piros; Robert Eilhardt; Alexander Zintler; Tobias Vogel; et al 出版日期:2020-09-09 |
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