标题 |
Interfacial band configuration and electrical properties of LaAlO3/Al2O3/hydrogenated-diamond metal-oxide-semiconductor field effect transistors
LaAlO3/Al2O3/氢化金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管的界面能带结构和电学性能
相关领域
材料科学
原子层沉积
钻石
跨导
光电子学
MOSFET
场效应晶体管
栅极电介质
阈值电压
分析化学(期刊)
晶体管
薄膜
纳米技术
化学
电压
电气工程
复合材料
工程类
色谱法
|
网址 | |
DOI | |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|