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Effect of Gd and Si co-doping on the band alignment and electrical properties of HfO2 dielectric films prepared by atomic layer deposition
Gd和Si共掺杂对原子层沉积HfO2介质薄膜能带排列和电学性能的影响
相关领域
原子层沉积 兴奋剂 材料科学 X射线光电子能谱 电介质 分析化学（期刊） 带隙 薄膜 高-κ电介质 带偏移量 纳米技术 光电子学 价带 核磁共振 化学 物理 色谱法
网址
https://doi.org/10.1007/s10854-020-05220-7
DOI
10.1007/s10854-020-05220-7 doi
其它 期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics
作者：Lin Zhu; Xiaojie Liu; Yanqiang Cao; Aidong Li; Di Wu
出版日期：2021-01-23
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yifan_Niu 在 2025-04-01 22:25:36 发布，悬赏 10 积分
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