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 Boron-Doped Polysilicon Passivating Contacts Achieving a Single-Sided J0 of 4.0 fA/cm2 Through a Two-Step Oxidation Process 通过两步氧化工艺实现单面J0为4.0 fA/cm2的掺硼多晶硅钝化触点
相关领域
钝化
兴奋剂
材料科学
硼
饱和电流
退火（玻璃）
氧化物
分析化学（期刊）
硅
形成气体
太阳能电池
光电子学
电压
电气工程
纳米技术
冶金
图层（电子）
化学
有机化学
工程类
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