标题 |
A Next-Generation Transistor Constructed on 2D Materials' Metal-Semiconductor Phase Transition and by Low Supply Voltage
基于2D材料的金属-半导体相变和低电源电压构建的下一代晶体管
相关领域
材料科学
晶体管
半导体
光电子学
电压
过渡金属
纳米技术
电气工程
工程类
化学
催化作用
生物化学
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其它 |
期刊:Materials horizons 作者:Xingyi Tan; Hengze Qu; Jialin Yang; Shengli Zhang; Hua‐Hua Fu 出版日期:2024-01-01 |
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