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 Understanding of the Volatile and Nonvolatile Switching in Ag-Based Memristors 对银基忆阻器中易失性和非易失性开关的理解
相关领域
非易失性存储器
材料科学
记忆电阻器
电介质
神经形态工程学
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图层（电子）
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电气工程
晶体管
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有机化学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xiangxiang Ding; Peng Huang; Yudi Zhao; Yansong Feng; Lifeng Liu 出版日期：2022-03-01 |
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