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Enhancement of removing OH bonds from low-temperature deposited silicon oxide films by adding water vapor into NH3 gas annealing at 130 oC
130℃NH3气体退火中加入水蒸气增强低温沉积氧化硅薄膜OH键的去除
相关领域
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Susumu Horita 出版日期:2024-10-25 |
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