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Improving the Quality of GaN on Si(111) Substrate with a Medium-Temperature/High-Temperature Bilayer AlN Buffer
用中/高温双层AlN缓冲液改善Si(111)衬底上GaN的质量
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Peng Xiang; Minggang Liu; Yibin Yang; Weijie Chen; Zhiyuan He; et al 出版日期:2013-05-31 |
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