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 High performance enhancement mode GaN HEMTs using β-Ga2O3 buffer for power switching and high frequency applications: A simulation study 基于β-Ga2O3缓冲器的高性能增强模式GaN HEMT用于功率开关和高频应用的仿真研究
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期刊：Microelectronics Journal 作者：C. Sivamani; P. Murugapandiyan; A. Mohanbabu; A.S. Augustine Fletcher 出版日期：2023-09-12 |
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