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标题
Origin of Ga vacancy-related YL center in n-type GaN: A first-principles study
n型GaN中Ga空位相关YL中心的起源：第一性原理研究
相关领域
视频阵列图形 深能级瞬态光谱 空位缺陷 材料科学 原子物理学 晶体缺陷 化学 分子物理学 光电子学 结晶学 物理 硅 CMOS芯片
网址
https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2022.119561
DOI
10.1016/j.jlumin.2022.119561 doi
其它 期刊：Journal of Luminescence
作者：Qian-Ji Wang; Haishan Zhang; Lin Shi; Jian Gong
出版日期：2022-11-24
求助人
无奈的小虾米 在 2024-12-25 15:49:08 发布自北京，悬赏 10 积分
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