标题 |
Bandgap engineering of Gallium oxides by crystalline disorder
利用晶体无序技术实现氧化镓的带隙工程
相关领域
带隙
材料科学
光电子学
同质结
响应度
光电探测器
半金属
紫外线
宽禁带半导体
纳米技术
兴奋剂
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DOI | |
其它 |
期刊:Materials Today Physics 作者:Yancheng Chen; Ying-Jie Lu; Xun Yang; Shunfang Li; Kaiyong Li; et al 出版日期:2021-05-01 |
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