Impact of Gate Metal on the Performance of p-GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

已完结

文献求助详情

标题	Impact of Gate Metal on the Performance of p-GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 栅金属对p-GaN/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能的影响相关领域高电子迁移率晶体管材料科学光电子学肖特基势垒工作职能肖特基二极管晶体管氮化镓阈值电压宽禁带半导体半导体金属浇口电气工程金属电压栅氧化层纳米技术二极管图层（电子）冶金工程类
网址	https://doi.org/10.1109/led.2015.2395454
DOI	10.1109/led.2015.2395454 doi
其它	期刊：IEEE electron device letters 作者：Finella Lee; Liang-Yu Su; Chih-Hao Wang; Yuh‐Renn Wu; JianJang Huang 出版日期：2015-03-01
求助人	高兴的土豆在 2024-04-12 16:52:32 发布自广东，悬赏 10 积分
下载	该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。
	温馨提示：该文献已被科研通学术中心收录，前往查看科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。

上个求助

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

科研通，破除各种障碍，优化资源分配，让科研信息充分流通

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 历史今天

更新

2024年影响因子查询已上线 (2024-6-20)

更新

大幅提高文件上传限制，最高150M (2024-4-1)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: Even9完成签到，获得积分10

5秒前; Yuuuu完成签到，获得积分10

6秒前; 内向东蒽完成签到，获得积分10

7秒前; nt1119完成签到，获得积分10

10秒前; Cai完成签到，获得积分10

11秒前; zcydbttj2011完成签到，获得积分10

15秒前; raiychemj完成签到，获得积分10

21秒前; 兔兔完成签到，获得积分10

23秒前; 蛋妮完成签到，获得积分10

34秒前; 论文行者发布了新的文献求助10

43秒前; Hello的应助被科研通管家采纳，获得10

47秒前; 金金完成签到，获得积分10

51秒前; 乐乐完成签到，获得积分10

56秒前; 咕噜咕噜完成签到，获得积分10

1分钟前; 行云流水完成签到，获得积分10

1分钟前; 开放又亦完成签到，获得积分10

1分钟前; duxiao完成签到，获得积分10

1分钟前; 华仔的应助被高不二采纳，获得10

1分钟前; 众人皆醉我独醒完成签到，获得积分20

1分钟前; Woke完成签到，获得积分10

1分钟前; bookgg完成签到，获得积分10

1分钟前; 优雅的凝阳完成签到，获得积分10

1分钟前; chenying完成签到，获得积分0

1分钟前; XMUZH完成签到，获得积分10

1分钟前; bkagyin上传了应助文件

1分钟前; 江氏巨颏虎发布了新的文献求助200

1分钟前; 我就想看看文献完成签到，获得积分10

1分钟前; WSY完成签到，获得积分10

1分钟前; 123learner发布了新的文献求助10

1分钟前; 高高的巨人完成签到，获得积分10

1分钟前; 悲痛宇宙完成签到，获得积分10

2分钟前; lwtsy完成签到，获得积分10

2分钟前; 研友_ZA2B68完成签到，获得积分10

2分钟前; 谢小盟完成签到，获得积分10

2分钟前; 研友_GZ3zRn完成签到，获得积分0

2分钟前; nqp999完成签到，获得积分10

2分钟前; SciGPT上传了应助文件

2分钟前; 美丽的楼房完成签到，获得积分10

2分钟前; wangqiang发布了新的文献求助10

2分钟前; 轩辕德地完成签到，获得积分10

2分钟前