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 Metal-modulated epitaxy of Mg-doped Al0.80In0.20N-based layer for application as the electron blocking layer in deep ultraviolet light-emitting diodes 用于深紫外发光二极管电子阻挡层的Mg掺杂Al0.80In 0.20 N基层的金属调制外延
相关领域
光电子学
兴奋剂
材料科学
图层（电子）
外延
二极管
紫外线
发光二极管
金属
阻塞（统计）
电子
纳米技术
物理
计算机科学
冶金
计算机网络
量子力学
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期刊：Journal of Semiconductors/Journal of semiconductors 作者：Horacio I. Solís-Cisneros; Carlos A. Hernández‐Gutiérrez; E. Campos‐González; M. López‐López 出版日期：2024-05-01 |
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