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Layout Aware Optimization Methodology for SOT-MRAM Based on Technically Feasible Top-Pinned Magnetic Tunnel Junction Process
基于技术可行的顶部钉扎磁性隧道结工艺的SOT-MRAM布局感知优化方法
相关领域
磁阻随机存取存储器
计算机科学
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期刊:IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems 作者:Chao Wang; Zhaohao Wang; Zhongkui Zhang; Jiagao Feng; Youguang Zhang; et al 出版日期:2023-05-01 |
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