标题 |
The A-Ni chemical bond in AIIINiSb (AIII=Sc, Y, Er) half-Heusler materials triggers the formation of anomalous vacancy defects
AIIINiSb(AIII=Sc,Y,Er)半赫斯勒材料中的A-Ni化学键引发反常空位缺陷的形成
相关领域
材料科学
空位缺陷
凝聚态物理
结晶学
化学键
债券
物理
量子力学
业务
财务
化学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Materials Today Physics 作者:Qiyong Chen; Li Ma; Jiong Yang; Lili Xi 出版日期:2024-08-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|