IGZO/SnOx-based dynamic memristor with fading memory effect for reservoir computing

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标题	IGZO/SnOx-based dynamic memristor with fading memory effect for reservoir computing 基于IGZO/SnOx的衰减记忆动态忆阻器在储层计算中的应用相关领域神经形态工程学记忆电阻器电阻随机存取存储器材料科学可塑性突触光电子学神经促进脉搏（音乐）非易失性存储器长时程增强电导突触可塑性计算机科学电子工程物理神经科学电压化学电气工程人工智能电信工程类人工神经网络心理学受体探测器复合材料凝聚态物理生物化学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0185677
DOI	10.1063/5.0185677 doi
其它	期刊：Journal of chemical physics online/The Journal of chemical physics/Journal of chemical physics 作者：Subaek Lee; Y.S. Park; Sungyeop Jung; Sungjun Kim 出版日期：2023-12-15
求助人	echo 在 2024-05-19 00:47:31 发布自北京，悬赏 10 积分
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