Low-power double-gate MoS2 negative capacitance transistors with near-zero DIBL

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标题	Low-power double-gate MoS2 negative capacitance transistors with near-zero DIBL DIBL接近零的低功耗双栅MoS2负电容晶体管相关领域阈下斜率晶体管电容场效应晶体管材料科学排水诱导屏障降低电气工程光电子学凝聚态物理电压物理量子力学电极工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac8db5
DOI	10.1088/1361-6641/ac8db5 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Taiqi Hu; Tiedong Cheng; Yuan Lin; Tianfu Zhang 出版日期：2022-08-30
求助人	行之在 2025-12-10 22:47:39 发布自湖南，悬赏 10 积分
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