Analysis of the Basal Plane Dislocation Density and Thermomechanical Stress during 100 mm PVT Growth of 4H-SiC

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标题	Analysis of the Basal Plane Dislocation Density and Thermomechanical Stress during 100 mm PVT Growth of 4H-SiC 100mm PVT生长4H-SiC基面位错密度及热力分析相关领域材料科学腐蚀坑密度位错薄脆饼碳化硅复合材料 Crystal（编程语言）蚀刻（微加工）晶种二极管光电子学同步加速器光学单晶结晶学物理化学程序设计语言图层（电子）计算机科学
网址	https://www.mdpi.com/1996-1944/12/13/2207/pdf?version=156265...
DOI	10.3390/ma12132207 doi
其它	期刊：Materials 作者：Johannes Steiner; Melissa Roder; Binh Duong Nguyen; Stefan Sandfeld; A.N. Danilewsky; et al 出版日期：2019-07-09
求助人	薄荷也在 2024-02-21 09:34:17 发布自江苏，悬赏 10 积分
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