The improved properties of solution-based InGaSnO (IGTO) thin film transistor using the modification of InZnO (IZO) layer

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标题	The improved properties of solution-based InGaSnO (IGTO) thin film transistor using the modification of InZnO (IZO) layer InZnO（IZO）层改性改善溶液基InGaSnO（IGTO）薄膜晶体管的性能相关领域材料科学薄膜晶体管光电子学退火（玻璃）双层晶体管阈值电压氧化铟锡活动层薄膜图层（电子）纳米技术电压复合材料电气工程工程类生物遗传学膜
网址	https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2023.112225
DOI	10.1016/j.vacuum.2023.112225 doi
其它	期刊：Vacuum 作者：Shuo Zhang; Le Weng; Bin Liu; Dan Kuang; Xianwen Liu; et al 出版日期：2023-09-01
求助人	z y f 在 2023-12-20 10:59:16 发布自江苏，悬赏 10 积分
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