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 Control polarity of gallium nitride on Si (1 1 1) using atomic layer annealing and thermal atomic layer deposition 利用原子层退火和热原子层沉积控制Si（1 1 1）上氮化镓的极性
相关领域
原子层沉积
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材料科学
氮化镓
图层（电子）
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镓
热的
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化学
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生物化学
细胞
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