Monolayer ThSi2N4 : An indirect-gap semiconductor with ultra-high carrier mobility

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标题	[求助补充材料] Monolayer ThSi2N4 : An indirect-gap semiconductor with ultra-high carrier mobility 具有超高载流子迁移率的间接带隙半导体单层ThSi2N4 相关领域单层镧系元素结晶学材料科学带隙半导体物理凝聚态物理纳米技术化学离子量子力学
网址	https://doi.org/10.1103/physrevb.108.205427
DOI	10.1103/physrevb.108.205427 doi
其它	期刊：Physical review 作者：Cheng Lü; Chuyan Cui; Jingning Zuo; Hongxia Zhong; Shi He; et al 出版日期：2023-11-29
求助人	GGGGBong 在 2024-10-14 04:34:30 发布自甘肃，悬赏 20 积分
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