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 Formation of Radiation Defects in Wide-Band Semiconductors Based on Gallium (Ga2O3, GaN) under Proton Irradiation 质子辐照下镓基（Ga2O3，GaN）宽带半导体辐射缺陷的形成
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期刊：Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques 作者：V. V. Kozlovski; A. E. Vasil’ev; A. A. Lebedev; Е. Е. Журкин; M. E. Levinshteǐn; et al 出版日期：2023-12-01 |
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