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 Effects of etching process and annealing temperature on the ferroelectric properties of atomic layer deposited Al-doped HfO2 thin film 刻蚀工艺和退火温度对原子层沉积Al掺杂HfO2薄膜铁电性能的影响
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期刊：Nanotechnology 作者：Boncheol Ku; Yue Ma; Hoonhee Han; Wang Xuan; Chang Hwan Choi 出版日期：2022-06-29 |
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