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 Complementary Field-Effect Transistor (CFET) Demonstration at 48nm Gate Pitch for Future Logic Technology Scaling 用于未来逻辑技术扩展的48nm栅间距互补场效应晶体管（CFET）演示
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期刊： 作者：S. Liao; Yang Liu; T.K. Chiu; Wei-Xiang You; Ting Wu; et al 出版日期：2023-12-09 |
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