Effect of varying threading dislocation densities on the optical properties of InGaN/GaN quantum wells with intentionally created V-shaped pits

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标题	Effect of varying threading dislocation densities on the optical properties of InGaN/GaN quantum wells with intentionally created V-shaped pits 不同穿线位错密度对V形坑InGaN/GaN量子阱光学性质的影响相关领域位错材料科学蓝宝石线程（蛋白质序列）超晶格透射电子显微镜量子阱光电子学波长凝聚态物理光学复合材料纳米技术激光器化学物理生物化学蛋白质结构
网址	https://doi.org/10.1116/6.0003141
DOI	10.1116/6.0003141 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Kaitian Zhang; Chenxi Hu; Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram; Lingyu Meng; Christopher Chae; et al 出版日期：2023-11-16
求助人	你想读博吗在 2025-03-04 17:58:39 发布自江西，悬赏 10 积分
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