A 1.1-/0.9-nA Temperature-Independent 213-/565-ppm/°C Self-Biased CMOS-Only Current Reference in 65-nm Bulk and 22-nm FDSOI

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标题	A 1.1-/0.9-nA Temperature-Independent 213-/565-ppm/°C Self-Biased CMOS-Only Current Reference in 65-nm Bulk and 22-nm FDSOI 65 nm本体和22 nm FDSOI中的1.1-/0.9-nA温度无关213-/565-ppm/°C自偏置纯CMOS电流基准相关领域材料科学大气温度范围 CMOS芯片二极管温度系数光电子学电气工程绝缘体上的硅电阻器电压硅偏压分析化学（期刊）物理化学工程类气象学复合材料色谱法
网址	https://doi.org/10.1109/jssc.2023.3240209
DOI	10.1109/jssc.2023.3240209 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Martin Lefebvre; Denis Flandre; David Bol 出版日期：2023-08-01
求助人	研友_happy 在 2024-08-25 12:29:00 发布自北京，悬赏 10 积分
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