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 Defects in 4H-SiC epilayers affecting device yield and reliability 影响器件成品率和可靠性的4H-SiC外延层缺陷
相关领域
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材料科学
碳化硅
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| 其它 |
期刊：2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：Robert E. Stahlbush; Nadeemullah A. Mahadik; P. L. Bonanno; Jake Soto; B. Odekirk; et al 出版日期：2022-03-01 |
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