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 Advanced approach of bulk (111) 3C-SiC epitaxial growth 块状(111)3C-SiC外延生长的新方法
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期刊：Microelectronic engineering 作者：Cristiano Calabretta; V. Scuderi; Corrado Bongiorno; Ruggero Anzalone; R. Reitano; et al 出版日期：2024-01-01 |
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