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 The influences of surface treatment and gas annealing conditions on the inversion behaviors of the atomic-layer-deposition Al2O3/n-In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitor 表面处理和气体退火条件对原子层沉积Al2O3/n-In0.53Ga0.47As金属氧化物半导体电容器反转行为的影响
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期刊：Applied Physics Letters 作者：H. D. Trinh; E. Y. Chang; P. W. Wu; Y. Y. Wong; C. T. Chang; et al 出版日期：2010-07-30 |
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