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[求助补充材料] Improving linearity by introducing Al in HfO2 as a memristor synapse device
通过在HfO2中引入Al作为忆阻器突触器件提高线性度
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期刊:Nanotechnology 作者:Sridhar Chandrasekaran; Firman Mangasa Simanjuntak; R. Saminathan; Debashis Panda; Tseung‐Yuen Tseng 出版日期:2019-08-20 |
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