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 Dual-Port Field-Free SOT-MRAM Achieving 90-MHz Read and 60-MHz Write Operations under 55-nm CMOS Technology and 1.2-V Supply Voltage 双端口无场SOT-MRAM在55nm CMOS技术和1.2 V电源电压下实现90MHz读和60MHz写操作
相关领域
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端口（电路理论）
电气工程
电压
带宽（计算）
对偶（语法数字）
光电子学
材料科学
计算机科学
工程类
计算机硬件
随机存取存储器
电信
文学类
艺术
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期刊： 作者：Masanori Natsui; Akira Tamakoshi; Haruo Honjo; Takahiro Watanabe; T. Nasuno; et al 出版日期：2020-06-01 |
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