GaN-based power high-electron-mobility transistors on Si substrates: from materials to devices

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标题	GaN-based power high-electron-mobility transistors on Si substrates: from materials to devices 硅衬底上GaN基功率高电子迁移率晶体管：从材料到器件相关领域材料科学光电子学高电子迁移率晶体管功率半导体器件氮化镓制作晶体管工程物理电子迁移率数码产品电力电子电气工程纳米技术图层（电子）电压医学替代医学病理工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/acca9d
DOI	10.1088/1361-6641/acca9d doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Nengtao Wu; Zhiheng Xing; Shanjie Li; Ling Luo; Fanyi Zeng; et al 出版日期：2023-04-25
求助人	欣慰的豪在 2024-04-27 21:04:15 发布自江西，悬赏 10 积分
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