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 Memristors Based on the Hybrid Structure of Oxide and Boron Nitride Nanosheets Combining Memristive and Neuromorphic Functionalities 基于结合忆阻和神经形态功能的氧化物和氮化硼纳米片混合结构的忆阻器
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
电阻随机存取存储器
材料科学
非易失性存储器
纳米技术
氮化硼
计算机科学
光电子学
电子工程
电压
电气工程
人工神经网络
工程类
人工智能
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期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 作者：Gong Wang; Xiaobing Yan; Jingsheng Chen; Deliang Ren 出版日期：2019-10-10 |
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