Reducing contact resistance of MoS2-based field effect transistors through uniform interlayer insertion via atomic layer deposition

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标题	Reducing contact resistance of MoS2-based field effect transistors through uniform interlayer insertion via atomic layer deposition 原子层沉积均匀插入降低MoS2基场效应晶体管的接触电阻相关领域原子层沉积图层（电子）材料科学接触电阻沉积（地质）光电子学场效应晶体管晶体管纳米技术电气工程工程类地质学电压沉积物古生物学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0196668
DOI	10.1063/5.0196668 doi
其它	期刊：Journal of Chemical Physics 作者：Whang Je Woo; Seunggi Seo; Hwi Yoon; S.H. Lee; Donghyun Kim; et al 出版日期：2024-03-08
求助人	曾经如风在 2024-10-13 20:14:45 发布自江苏，悬赏 10 积分
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