1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs

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标题	1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs 横向场镀Ga2O3 MOSFET的击穿电压为1.85 kV 相关领域领域（数学）电场物理 MOSFET 击穿电压材料科学分析化学（期刊）电气工程拓扑（电路）电压化学量子力学数学工程类晶体管有机化学纯数学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2018.2859049
DOI	10.1109/led.2018.2859049 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Ke Zeng; Abhishek Vaidya; Uttam Singisetti 出版日期：2018-07-23
求助人	内向新儿在 2025-02-12 14:23:07 发布自中国，悬赏 10 积分
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