Single crystal growth of Cu(Ga,In)Se2 solid solutions by horizontal Bridgman method with controlling Se vapor pressure and their defect properties

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标题	Single crystal growth of Cu(Ga,In)Se2 solid solutions by horizontal Bridgman method with controlling Se vapor pressure and their defect properties 水平Bridgman法控制Se蒸气压生长Cu（Ga，In）Se2固溶体单晶及其缺陷性质相关领域蒸汽压晶体生长材料科学固溶体 Crystal（编程语言）结晶学化学分析化学（期刊）冶金有机化学计算机科学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.017
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2004.11.017 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Hiroaki Matsushita; Koji Mitake; Takeo Takizawa 出版日期：2004-12-16
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