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 Performance Upper Limit of sub‐10 nm Monolayer MoS2 Transistors 亚10nm单层MoS2晶体管的性能上限
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材料科学
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Zeyuan Ni; Meng Ye; Jianhua Ma; Yangyang Wang; Ruge Quhe; et al 出版日期：2016-08-02 |
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