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 TCAD based numerical exploration of industrially feasible tunnel oxide passivated contact on p-type silicon 基于TCAD的p型硅隧道氧化钝化接触的数值研究
相关领域
共发射极
钝化
硅
材料科学
薄脆饼
接触电阻
晶体硅
光电子学
复合材料
图层（电子）
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期刊：Solar Energy 作者：Jayshree Bhajipale; Anil Kottantharayil; K.P. Sreejith 出版日期：2023-03-01 |
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