Electrical properties, structural properties, and deep trap spectra of thin α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on basal plane sapphire substrates

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标题	Electrical properties, structural properties, and deep trap spectra of thin α-Ga2O3 films grown by halide vapor phase epitaxy on basal plane sapphire substrates 卤化物气相外延生长α-Ga2O3薄膜的电学性质、结构性质和深陷阱谱
网址	https://pubs.aip.org/aip/apm/article-pdf/doi/10.1063/1.50757...
DOI	10.1063/1.5075718 doi
其它	期刊：APL Materials 作者：Dae-Woo Jeon; Hoki Son; Jonghee Hwang; A. Y. Polyakov; N. B. Smirnov; et al 出版日期：2018-12-21
求助人	夜守在 2025-02-16 21:41:59 发布自天津，悬赏 20 积分
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