2 kV slanted tri-gate GaN-on-Si Schottky barrier diodes with ultra-low leakage current

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标题	2 kV slanted tri-gate GaN-on-Si Schottky barrier diodes with ultra-low leakage current 2kV倾斜三栅GaN-on-Si肖特基势垒二极管的超低漏电流相关领域光电子学材料科学肖特基二极管阳极肖特基势垒反向漏电流击穿电压二极管宽禁带半导体泄漏（经济）电压电气工程化学电极经济物理化学宏观经济学工程类
网址	https://doi.org/10.1063/1.5012866
DOI	10.1063/1.5012866 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jun Ma; Elison Matioli 出版日期：2018-01-29
求助人	hehe 在 2024-11-12 19:28:01 发布自广东，悬赏 10 积分
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